中國傾力發展第三代半導體 台廠挾優勢啖商機

隨著美國政府在半導體領域持續打壓,中國政府有意傾國之力發展第三代半導體產業,第三代半導體產業競爭走向白熱化,台廠挾第一、二代半導體領先優勢,可望搶得先機,包含台積電 (2330-TW) 外,漢磊投控 (3707-TW)、嘉晶 (3016-TW)、世界先進 (5347-TW) 等都將陸續在今年第四季放量,明年貢獻營收,另外茂矽 (2342-TW) 與環球晶 (6488-TW) 也積極卡位,可望率先搶吃商機。

中國將在 10 月提出的「十四五 (第 14 個五年) 規劃」中,大舉投入人民幣 10 兆元資金,發展第三代半導體產業,在第一、二代半導體技術相對落後下,中國盼能如 5G 技術一般,藉由第三代半導體技術,在半導體領域彎道超車。

不過,氮化鎵 (GaN)、碳化矽 (SiC) 等第三代半導體技術難度高,良率更是獲利關鍵,在美中關係緊張下,中國要取得先進半導體設備,難度相當高,且第三代半導體材料被各國視為戰略性資源,中國要取得材料,也有一定的挑戰。

即便先前中國以政策大力扶植半導體產業,訂出 2025 年半導體自製率達 70% 的目標,但在第一、二代半導體技術投資上,目前仍未有明顯斬獲,由台積電前共同營運長蔣尚義出任執行長的武漢弘芯,近期更爆出資金面臨斷鏈危機,中國要在半導體領域上超車,還有很長一段路要走。

反觀台廠,挾著矽製程固有的規模經濟優勢,積極搶進氮化鎵、碳化矽應用領域,並已陸續有斬獲,包括台積電、漢磊投控旗下晶圓代工廠漢磊科、磊晶矽晶圓廠嘉晶 (3016-TW)、矽晶圓大廠環球晶,都已小量生產中,各廠進度持續穩健往前,效益明年顯現。

漢磊投控旗下漢磊科與嘉晶,今年第 4 季起 SiC、GaN 等化合物半導體應用將陸續放量,明年產能更將進一步拉升,第四季將受惠 IDM 客戶回流,加上 Gan (氮化鎵) 新品試產,營收可望回溫,今、明年受惠第三代半導體需求帶動,營收都將維持成長。

台積電已小量提供 6 吋 GaN-on-Si(矽基氮化鎵) 晶圓代工服務,650 伏特和 100 伏特氮化鎵積體電路技術平台,預計今年開發完成。

晶圓代工廠世界先進 (5347-TW) 也與設備材料廠 Kyma、及轉投資氮化鎵矽基板廠 Qromis 攜手合作,著眼開發可做到 8 吋的新基底高功率氮化鎵技術 GaN-on-QST,今年底前送樣客戶做產品驗證,瞄準電源應用。

環球晶旗下佈局的化合物半導體晶圓,包括碳化矽 (SiC)、GaN on SiC(碳化矽基氮化鎵)、GaN on Si,碳化矽目前在取得認證中;GaN on SiC 目前做到 4 吋;GaN on Si 的 6 吋產能已量產,正積極投入 8 吋研發。

另外,近來新加入市場的,還有尋求新事業發展的太陽能廠太極 (4934-TW),將發展碳化矽長晶與基板,初期切入高壓功率元件應用市場,最快第 4 季可量產基板。

資料來源:
https://tw.news.yahoo.com/%E4%B8%AD%E5%9C%8B%E5%82%BE%E5%8A%9B%E7%99%BC%E5%B1%95%E7%AC%AC%E4%B8%89%E4%BB%A3%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94-%E5%8F%B0%E5%BB%A0%E6%8C%BE%E5%84%AA%E5%8B%A2%E5%95%96%E5%95%86%E6%A9%9F-051350148.html

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